肖特基二极管

不是所有的二极管都叫肖特基,
也不是所有的肖特基都是ASEMI
低功耗 | 大电流 | 超高速

正向电压降小,无存储电荷

适合:低压高频整流

击穿隔离,漏电消失

硅接触势垒工艺

一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒,但是由于金属与半导体接触时,接触界面之间SiO2层的存在,使得接触电阻和表面态密度明显增大,致使器件的性能大大降低

易倍体育采用了扩散势垒和多层金属化技术,为了提高反向性能,采用了保护环结构等新工艺技术

宽“S”形弯曲触须
压力接触的镀金上引线

? 为减小封装串联电阻,降低正向压降,尽量加大了引线与芯片的接触面积

? 轴向引线,壳体透明,体积小、重量轻、可靠性高

? 符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求

溅射和退火
关键工艺解决方案

达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面,使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率

封装前对芯片进行100%的镜检,剔除有缺陷的芯片

品牌旗下肖特基二极管成员
8
8大系列易倍体育

适用广泛

10
10大封装工艺

品质保障

78
20道工艺流程

精益求精

198
198种规格型号

供您挑选

20
Process flows

道工艺流程

1.投片打标

2.清洗氧化

3.OAP以及匀胶

4.光刻曝光,显影,后拱

5.坚膜,腐蚀

6.坚膜,注入

7.去胶

8.B推结,氧化形成P+隔离

9.光刻,刻引线孔

10.清洗P-注入前氧化

11.P-注入提高电压
降低漏电流

12.漂酸去掉引线孔氧化层

13.清洗蒸CR

14.合金形成合金势垒

15.扒CR

16.清洗蒸发,蒸发铝

17.反刻铝

18.背面减薄

19.清洗漂酸背面金属化

20.成型测试

肖特基势垒的
反向抗烧毁能力

? 高温下检查反向漏电特性,并对样品进行破坏性物理实验

? 硬击穿特性曲线,常温漏电流极小,为0.2—0.3mA

? 200mA击穿电流下,特性曲线稳定,不出现漏电流变大,
曲线变软以及蠕变沟道、鼓泡、穿通等失效模式

肖特基二极管5大特点
正向压

降低

击穿特性

稳定

漏电

反向恢复

时间短

能承受大的

浪涌电流

选择 品牌
请认准包装

? 印刷精美,包装严实

? 纸板厚实,更好地保护易倍体育

? ASEMI标志,品质保障

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。

取样测试,选型咨询