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ASEMI上新三极管8050/8550对管SOT-23封装|新款推荐

返回列表来源:ASEMI 作者:ASEMI-NEYA 发布日期:2020.11.17 浏览:-
摘要:8050 描述/Descriptions SOT-23塑封封装NPN半导体三极管。 特征/Features 与8550互补。 Complementary pair with 8550M. 用途/Applications 用于功率放大电路。 Power amplifier applications.

ASEMI三极管8050/8550对管

SOT-23封装尺寸参数

ASEMI上新三极管8050/8550对管SOT-23封装|新款推荐

8050

描述/Descriptions

SOT-23塑封封装

NPN半导体三极管

特征/Features

与8550互补

Complementary pair with 8550M.

用途/Applications

用于功率放大电路。

Power amplifier applications.

集电极至基极击穿电压

VCBO IC = 0.1mA IE = 0 40 V

集电极到发射极的击穿电压

VCEO IC = 2.0mA IB = 0 25 V

发射极至基极击穿电压

VEBO IC = 0.1mA IC = 0 6.0 V

集电极截止电流

ICBO VCB = 35V IE = 0 0.1μA

发射极截止电流

IEBO VEB = 6.0V IC = 0 0.1μA

ASEMI上新三极管8050/8550对管SOT-23封装|新款推荐

8550

描述/Descriptions

SOT-23塑封封装

PNP半导体三极管

特征/Features

与8050互补

Complementary pair with 8550M.

用途/Applications用于功率放大电路

Power amplifier applications.

集电极-发射极饱和电压

VCE(sat)IC = -800mA IB = -80mA -0.28 -0.5 V

基极-发射极饱和电压

VBE(satIC = -800mA IB = -80mA -0.98 -1.2 V

基极-发射极电压

VBE VCE = -1.0V IC = -10mA -0.66 -1.0 V

过渡频率

fT VCE = -10V IC = -50mA 100200 MHz


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